技術シーズ集 目次


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不揮発性磁気ランダムアクセスメモリ

情報
No. 5-1
動作中の待機電源が不要となる不揮発性磁気メモリ(MRAM)を、従来の半導体メモリ(DRAM)と同等の集積密度で実現するための新しい動作原理と基本的な設計デザインを提供します。
技術の特徴
5-1
従来技術との比較

1 新原理(スピン起電力)を用いること
  で、不揮発性(省エネ)かつ小型化を両立
2 書き換え耐性が原理的にほぼ無限大
3 3次元化、多値化等の発展性を有する

利用分野

情報通信

研究のステージ

基礎研究開発
(理論実証段階)

知財関連情報

特許第5626741号特許第5649198号

特許第5305547号(3件共願:(株)日立製作所)


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